Силовая электроника

Внимание. В этом предмете 211 вопросов.
Вы можете купить ответы на все вопросы сразу со скидкой 20%
Цена без скидки:
14266.00 руб.
Цена со скдикой:
11412 руб.
Время хранения ответов в личном кабинете - 1 час (при отдельной покупке ответа - 20 минут).
igbt транзистор не находит применение в области
биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) не применяются в
биполярный транзистор с изолированным затвором igbt сочетает особенности
биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
быстродействие igbt транзистора
в активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
в активном режиме работы биполярного транзистора
в асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
в асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (зг)
величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе мст тиристоров
в инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
в интегрированном запираемом тиристоре igct присутствует
в каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
в качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 в) применяются:
в ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
в ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
в моп-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
в мостовых схемах, построенных на быстрых мдп - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
в мостовых схемах, построенных на быстрых мдп - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
в настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
в одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (сс) поступают импульсы с выходов
в основе биполярного транзистора лежит
в отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
в разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
в режиме лавинного пробоя силового диода
в режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
в режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
в режиме отсечки силового биполярного транзистора
в режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
в силовых инверторах с gto ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
в силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
в силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
в симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
в системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится
в системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (зг)
в системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
в структуре igbt транзистора сочетаются две биполярные структуры
в структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
в структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
в структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
в структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
в структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
в схеме фиу комплементарные транзисторы используют в основном для
в тиристоре scr при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
в транзисторе igbt сочетается
в трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют
входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
входной ток оптронов в статическом режиме составляет
в цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется
высокой температурной устойчивостью не обладает
главным достижением развития современных силовых ключей является
граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
диодная оптронная развязка информационного сигнала в фиу обеспечивает
диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
для включения тиристора scr необходимо
для выключения определенных типов gto в режиме перегрузки по току не используют
для выполнения потенциальной развязки применяют фиу, в которых используется
для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
для изготовления высоковольтных dмоп - транзисторов с n-каналом используются
для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору gto
для мостовых схем используют защитные rcd-цепи, в которых резисторы подключаются
для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное
для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды
допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
достоинства бсит по сравнению с сит
запираемый тиристор gto
идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
использование мст тиристоров требует специальных мер по
какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 гц
какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кгц
какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
как и моп-транзистор сит транзистор
каких силовых моп-транзисторов с изолированным затвором не существует
какой полупроводник используется при изготовлении диода шоттки
к аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
к аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
к аппаратам низкого напряжения не относятся
качество мдп - структуры тем выше, чем
к вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
к динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
к недостаткам моп-транзисторов относится
к недостаткам оптронной развязки в фиу не относится
к новым типам комбинированных транзисторов относятся
комплементарные пары транзисторов, входящие в состав фиу
конструктивно симистор представляет собой
к основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
к основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
к основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
к основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
к основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
к основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
к основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
к основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
к основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
к основным требованиям, предъявляемым к управлению птиз и бтиз, относятся
коэффициент заполнения импульсов силового ключа
коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
коэффициент передачи тока в транзисторе дарлингтона равен
к параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
к параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
к параметрам силовых диодов не относятся
к предельно допустимым параметрам силового диода относится
к проблемам использования трансформаторных фиу для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
к силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
к силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
к статическим параметрам силового диода не относится
к функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
мощные полевые транзисторы (mosfet) не применяются в
наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
наибольшее применение в силовой технике получили моп-транзисторы
на основе тиристоров с неполной управляемостью построены
начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
не существует следующего вида модуляций
не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt)
нуль-орган не может быть выполнен на базе:
область применения биполярных и моп-транзисторов
ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
оптотиристор – это
основная функция силового диода
основные преимущества igbt по сравнению с полевыми транзисторами
основные требования по параметрам фиу предъявляются к
основными видами перегрузок по напряжению не являются
основными недостатками фиу, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
основным преимуществом тиристора gct по сравнению с тиристором gto является его
отсутствие неосновных носителей в диоде шоттки не обеспечивает
перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
передаточной характеристикой igbt транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
полевой транзистор в линейном режиме используется как
полевой транзистор в режиме насыщения используется как
по методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
по результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
по результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает
потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
при вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
при включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
при изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
при использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
принципы построения фиу не зависят от
при одинаковой технологии изготовления dмоп-транзисторы по сравнению с vмоп–транзисторами имеют
при отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
при переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
при подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
при подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
при расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
при фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
пульсность выпрямителя
самую большую мощность рассеивания до 10 мвт имеют
самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 вт имеют
сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации бои, не содержат информации
сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (бои), могут
силовой диод содержит
силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
силовые комбинированные приборы могут коммутировать
силовым диодом называется
симистор – это тиристор, который может
система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к
современные моп-транзисторы обеспечивают коммутацию
статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
структура igbt транзистора отличается от структуры dмоп-транзистора
схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (vwf-инвертор) не содержит
схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
сходство характеристик бтиз и птиз в области безопасной работы
с целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
точечные диоды
транзисторы дарлингтона используют для
транзистор - это
управляющий параметр m, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
управляющий параметр n, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
фазосдвигающие устройства (фсу) не строятся на базе
фототиристор – это фотоэлектронный прибор
частота импульсов с выхода задающего генератора (зг) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
чтобы регулировать частоту задающего генератора (зг) асинхронная система должна
что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным фиу
что не относится к преимуществам транзисторов птиз и бтиз перед биполярными транзисторами
эквивалентная крутизна передаточной характеристики бтиз
электрический пробой силового диода возникает, когда
электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с

У вас остались какие-либо вопросы или не нашли ответ на ваш тест?

свяжитесь с нами